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- Número de peza:
- IRF5851TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF5851TRPBF electronic components. IRF5851TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF5851TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF5851TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF5851TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N and P-Channel
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.7A, 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.25V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
400pF @ 15V
Potencia: máx :
960mW
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos de provedores :
6-TSOP
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