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- Número de peza:
- APTM100VDA35T3G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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APTM100VDA35T3G Atributos do produto
Número de peza :
APTM100VDA35T3G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Serie :
POWER MOS 7®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V (1kV)
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
186nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5200pF @ 25V
Potencia: máx :
390W
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
SP3
Paquete de dispositivos de provedores :
SP3
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