IRFHM8363TRPBF Prezos (USD) [242912unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRFHM8363TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
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IRFHM8363TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFHM8363TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1165pF @ 10V
Potencia: máx :
2.7W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
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