PHKD3NQ10T,518 Prezos (USD) [4147unidades de stock]
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- Número de peza:
- PHKD3NQ10T,518
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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PHKD3NQ10T,518 Atributos do produto
Número de peza :
PHKD3NQ10T,518
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrición :
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Serie :
TrenchMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
21nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
633pF @ 20V
Potencia: máx :
2W
Temperatura de operación :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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