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- Número de peza:
- IPU80R1K4CEBKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPU80R1K4CEBKMA1 electronic components. IPU80R1K4CEBKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPU80R1K4CEBKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPU80R1K4CEBKMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPU80R1K4CEBKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Serie :
CoolMOS™
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 240µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
570pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
63W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO251-3
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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