Infineon Technologies - AUIRFR540Z

KEY Part #: K6402655

AUIRFR540Z Prezos (USD) [47472unidades de stock]

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Número de peza:
AUIRFR540Z
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N CH 100V 35A DPAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - JFETs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFR540Z Atributos do produto

Número de peza : AUIRFR540Z
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N CH 100V 35A DPAK
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 35A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28.5 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1690pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 91W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : DPAK
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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