Infineon Technologies - IRFR3505PBF

KEY Part #: K6412159

[13542unidades de stock]


    Número de peza:
    IRFR3505PBF
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: TRIAC and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFR3505PBF Atributos do produto

    Número de peza : IRFR3505PBF
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
    Serie : HEXFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 55V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 30A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 93nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2030pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 140W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : D-Pak
    Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63