IRFR3411PBF Prezos (USD) [13541unidades de stock]
- 3,000 pcs$0.27250
- Número de peza:
- IRFR3411PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 32A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Arrays and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFR3411PBF electronic components. IRFR3411PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR3411PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFR3411PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFR3411PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
32A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
44 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
71nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1960pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
130W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-Pak
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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