Infineon Technologies - IRF9328TRPBF

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Número de peza:
IRF9328TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9328TRPBF Atributos do produto

Número de peza : IRF9328TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 12A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 25µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1680pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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