TPN4R712MD,L1Q Prezos (USD) [342569unidades de stock]
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- Número de peza:
- TPN4R712MD,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Finalidade especial, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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TPN4R712MD,L1Q Atributos do produto
Número de peza :
TPN4R712MD,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
Serie :
U-MOSVI
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
36A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
65nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4300pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
42W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
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