Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11.5A (Ta), 50A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.3 mOhm @ 10.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
65nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3215pF @ 30V
Disipación de potencia (máx.) :
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-PAK (TO-252AA)
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63