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- Número de peza:
- BUK9E4R4-80E,127
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores: TRIAC ...
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BUK9E4R4-80E,127 Atributos do produto
Número de peza :
BUK9E4R4-80E,127
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Serie :
TrenchMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
123nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
17130pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
349W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I2PAK
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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