Toshiba Semiconductor and Storage - TK35E08N1,S1X

KEY Part #: K6419409

TK35E08N1,S1X Prezos (USD) [110596unidades de stock]

  • 1 pcs$0.39086
  • 50 pcs$0.38892

Número de peza:
TK35E08N1,S1X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 80V 55A TO-220.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - RF and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK35E08N1,S1X electronic components. TK35E08N1,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK35E08N1,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK35E08N1,S1X Atributos do produto

Número de peza : TK35E08N1,S1X
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
Serie : U-MOSVIII-H
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 55A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 300µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1700pF @ 40V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 72W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220
Paquete / Estuche : TO-220-3

Tamén pode estar interesado