Número de peza :
TK35E08N1,S1X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
55A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 300µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1700pF @ 40V
Disipación de potencia (máx.) :
72W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220
Paquete / Estuche :
TO-220-3