TK80S06K3L(T6L1,NQ Prezos (USD) [106880unidades de stock]
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- Número de peza:
- TK80S06K3L(T6L1,NQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
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TK80S06K3L(T6L1,NQ Atributos do produto
Número de peza :
TK80S06K3L(T6L1,NQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
Serie :
U-MOSIV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
85nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4200pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DPAK+
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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