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- Número de peza:
- BUZ80A
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BUZ80A electronic components. BUZ80A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUZ80A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BUZ80A Atributos do produto
Número de peza :
BUZ80A
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
Serie :
SIPMOS®
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1350pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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