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- Número de peza:
- BTS282Z E3180A
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BTS282Z E3180A electronic components. BTS282Z E3180A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BTS282Z E3180A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BTS282Z E3180A Atributos do produto
Número de peza :
BTS282Z E3180A
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
Serie :
TEMPFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
49V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 240µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
232nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4800pF @ 25V
Función FET :
Temperature Sensing Diode
Disipación de potencia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220-7-180
Paquete / Estuche :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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