Vishay Siliconix - SI5908DC-T1-GE3

KEY Part #: K6522069

SI5908DC-T1-GE3 Prezos (USD) [142562unidades de stock]

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Número de peza:
SI5908DC-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5908DC-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SI5908DC-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Función FET : Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : -
Potencia: máx : 1.1W
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivos de provedores : 1206-8 ChipFET™