SI6968BEDQ-T1-E3 Prezos (USD) [142562unidades de stock]
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- Número de peza:
- SI6968BEDQ-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: DIACs, SIDACs, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI6968BEDQ-T1-E3 electronic components. SI6968BEDQ-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6968BEDQ-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI6968BEDQ-T1-E3 Atributos do produto
Número de peza :
SI6968BEDQ-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Potencia: máx :
1W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-TSSOP
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