SI5513CDC-T1-GE3 Prezos (USD) [383787unidades de stock]
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- Número de peza:
- SI5513CDC-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: SCRs, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
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SI5513CDC-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SI5513CDC-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4.2nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
285pF @ 10V
Potencia: máx :
3.1W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivos de provedores :
1206-8 ChipFET™
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