Vishay Siliconix - SI5933CDC-T1-E3

KEY Part #: K6524002

SI5933CDC-T1-E3 Prezos (USD) [3977unidades de stock]

  • 3,000 pcs$0.07418

Número de peza:
SI5933CDC-T1-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI5933CDC-T1-E3 electronic components. SI5933CDC-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5933CDC-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5933CDC-T1-E3 Atributos do produto

Número de peza : SI5933CDC-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 6.8nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 276pF @ 10V
Potencia: máx : 2.8W
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivos de provedores : 1206-8 ChipFET™