Infineon Technologies - IPG20N06S4L14ATMA1

KEY Part #: K6523608

[4109unidades de stock]


    Número de peza:
    IPG20N06S4L14ATMA1
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    MOSFET 2N-CH 8TDSON.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Finalidade especial, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - RF, Transistores - Unión programable and Transistores - IGBTs - Módulos ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies IPG20N06S4L14ATMA1 electronic components. IPG20N06S4L14ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N06S4L14ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPG20N06S4L14ATMA1 Atributos do produto

    Número de peza : IPG20N06S4L14ATMA1
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : MOSFET 2N-CH 8TDSON
    Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
    Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
    Función FET : Logic Level Gate
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 20A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.7 mOhm @ 17A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 20µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 39nC @ 10V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2890pF @ 25V
    Potencia: máx : 50W
    Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : 8-PowerVDFN
    Paquete de dispositivos de provedores : PG-TDSON-8-4

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