Renesas Electronics America - HAT2116H-EL-E

KEY Part #: K6412293

[13495unidades de stock]


    Número de peza:
    HAT2116H-EL-E
    Fabricante:
    Renesas Electronics America
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF and Diodos - Zener - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Renesas Electronics America HAT2116H-EL-E electronic components. HAT2116H-EL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HAT2116H-EL-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HAT2116H-EL-E Atributos do produto

    Número de peza : HAT2116H-EL-E
    Fabricante : Renesas Electronics America
    Descrición : MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
    Serie : -
    Estado da parte : Active
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 30A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 26nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1650pF @ 10V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 15W (Tc)
    Temperatura de operación : 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : LFPAK
    Paquete / Estuche : SC-100, SOT-669