IRLR3717PBF Prezos (USD) [13526unidades de stock]
- 3,000 pcs$0.23406
- Número de peza:
- IRLR3717PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 120A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: TRIAC and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IRLR3717PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRLR3717PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.45V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
31nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2830pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
89W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-Pak
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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