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- Número de peza:
- SI5980DU-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - RF and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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SI5980DU-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SI5980DU-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
567 mOhm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
3.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
78pF @ 50V
Potencia: máx :
7.8W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® ChipFet Dual
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