Número de peza :
FDMS86183
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
51A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 90µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
14nC @ 6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1515pF @ 50V
Disipación de potencia (máx.) :
63W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-PQFN (5x6)
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN