Vishay Siliconix - SI4834CDY-T1-GE3

KEY Part #: K6524031

SI4834CDY-T1-GE3 Prezos (USD) [3967unidades de stock]

  • 2,500 pcs$0.21378

Número de peza:
SI4834CDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays and Módulos de controlador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI4834CDY-T1-GE3 electronic components. SI4834CDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4834CDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4834CDY-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SI4834CDY-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 950pF @ 15V
Potencia: máx : 2.9W
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO

Tamén pode estar interesado