SQJ486EP-T1_GE3 Prezos (USD) [178202unidades de stock]
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- Número de peza:
- SQJ486EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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SQJ486EP-T1_GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SQJ486EP-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
75V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
30A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1386pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
56W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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