IRF6644TRPBF Prezos (USD) [84934unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRF6644TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
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IRF6644TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF6644TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10.3A (Ta), 60A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.8V @ 150µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
47nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2210pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DIRECTFET™ MN
Paquete / Estuche :
DirectFET™ Isometric MN
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