BSC080P03LSGAUMA1 Prezos (USD) [101095unidades de stock]
- 1 pcs$0.38677
- Número de peza:
- BSC080P03LSGAUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: SCRs and Diodos - Zener - Arrays ...
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BSC080P03LSGAUMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSC080P03LSGAUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
16A (Ta), 30A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
122.4nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6140pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TDSON-8
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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