FQD12N20LTM-F085 Prezos (USD) [97988unidades de stock]
- 1 pcs$0.39904
- Número de peza:
- FQD12N20LTM-F085
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 9A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
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FQD12N20LTM-F085 Atributos do produto
Número de peza :
FQD12N20LTM-F085
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, QFET®
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
21nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1080pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-Pak
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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