TPW4R008NH,L1Q Prezos (USD) [114189unidades de stock]
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- Número de peza:
- TPW4R008NH,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Arrays and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
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TPW4R008NH,L1Q Atributos do produto
Número de peza :
TPW4R008NH,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
Serie :
U-MOSVIII-H
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
116A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
59nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5300pF @ 40V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
800mW (Ta), 142W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-DSOP Advance
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
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