ON Semiconductor - FDD86326

KEY Part #: K6409574

FDD86326 Prezos (USD) [114503unidades de stock]

  • 1 pcs$0.32464
  • 2,500 pcs$0.32302

Número de peza:
FDD86326
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: SCRs, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Arrays and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in ON Semiconductor FDD86326 electronic components. FDD86326 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD86326, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD86326 Atributos do produto

Número de peza : FDD86326
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK
Serie : PowerTrench®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 8A (Ta), 37A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1035pF @ 50V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : D-PAK (TO-252)
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63