TK14N65W,S1F Prezos (USD) [30264unidades de stock]
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- Número de peza:
- TK14N65W,S1F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - IGBTs - Single ...
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TK14N65W,S1F Atributos do produto
Número de peza :
TK14N65W,S1F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
Serie :
DTMOSIV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
13.7A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 690µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1300pF @ 300V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
130W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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