Número de peza :
CTLDM8120-M621H TR
Fabricante :
Central Semiconductor Corp
Descrición :
MOSFET P-CH 20V DFN6
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
950mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
3.56nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
200pF @ 16V
Disipación de potencia (máx.) :
1.6W (Ta)
Temperatura de operación :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TLM621H
Paquete / Estuche :
6-XFDFN Exposed Pad