Número de peza :
SISA40DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
43.7A (Ta), 162A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
53nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3415pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche :
PowerPAK® 1212-8