Vishay Siliconix - IRFBF30L

KEY Part #: K6414365

[12780unidades de stock]


    Número de peza:
    IRFBF30L
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Módulos ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Vishay Siliconix IRFBF30L electronic components. IRFBF30L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBF30L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFBF30L Atributos do produto

    Número de peza : IRFBF30L
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrición : MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262
    Serie : -
    Estado da parte : Active
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 900V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 3.6A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 Ohm @ 2.2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 78nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1200pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : -
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete de dispositivos de provedores : I2PAK
    Paquete / Estuche : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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