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- Número de peza:
- IRFR13N20DTR
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 13A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFR13N20DTR electronic components. IRFR13N20DTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR13N20DTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFR13N20DTR Atributos do produto
Número de peza :
IRFR13N20DTR
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
13A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
235 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
830pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-Pak
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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