STI11NM80 Prezos (USD) [22019unidades de stock]
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- Número de peza:
- STI11NM80
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
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STI11NM80 Atributos do produto
Número de peza :
STI11NM80
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
Serie :
MDmesh™
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
43.6nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1630pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operación :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I2PAK (TO-262)
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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