SIUD406ED-T1-GE3 Prezos (USD) [856423unidades de stock]
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- Número de peza:
- SIUD406ED-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
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SIUD406ED-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIUD406ED-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
500mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.46 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.6nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
17pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.25W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® 0806
Paquete / Estuche :
PowerPAK® 0806
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