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- Número de peza:
- FQB4N20LTM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Tiristores: SCRs, Tiristores: TRIAC and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQB4N20LTM electronic components. FQB4N20LTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB4N20LTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQB4N20LTM Atributos do produto
Número de peza :
FQB4N20LTM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
5.2nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
310pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.13W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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