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- Número de peza:
- RFD3055LESM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
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RFD3055LESM Atributos do produto
Número de peza :
RFD3055LESM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
107 mOhm @ 8A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
11.3nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
350pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
38W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252AA
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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