Vishay Siliconix - SI2347DS-T1-GE3

KEY Part #: K6397872

SI2347DS-T1-GE3 Prezos (USD) [899243unidades de stock]

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  • 3,000 pcs$0.03915

Número de peza:
SI2347DS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2347DS-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SI2347DS-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 705pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-23-3
Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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