NXP USA Inc. - PSMN8R0-30YLC,115

KEY Part #: K6405712

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    Número de peza:
    PSMN8R0-30YLC,115
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - JFETs ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN8R0-30YLC,115 Atributos do produto

    Número de peza : PSMN8R0-30YLC,115
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrición : MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 54A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.9 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.95V @ 1mA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 848pF @ 15V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 42W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : LFPAK56, Power-SO8
    Paquete / Estuche : SC-100, SOT-669

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