SCT50N120 Prezos (USD) [2220unidades de stock]
- 1 pcs$17.90191
- 10 pcs$16.51016
- 100 pcs$14.09840
- Número de peza:
- SCT50N120
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: SCRs, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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SCT50N120 Atributos do produto
Número de peza :
SCT50N120
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
65A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
122nC @ 20V
Vgs (máximo) :
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1900pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
318W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
HiP247™
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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