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- Número de peza:
- BUK653R2-55C,127
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
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BUK653R2-55C,127 Atributos do produto
Número de peza :
BUK653R2-55C,127
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Serie :
TrenchMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
258nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
15300pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
306W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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