Número de peza :
IPU80R2K0P7AKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 940mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 50µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
175pF @ 500V
Disipación de potencia (máx.) :
24W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO251-3
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA