TPN22006NH,LQ Prezos (USD) [293170unidades de stock]
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- Número de peza:
- TPN22006NH,LQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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TPN22006NH,LQ Atributos do produto
Número de peza :
TPN22006NH,LQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Serie :
U-MOSVIII-H
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
710pF @ 30V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
700mW (Ta), 18W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
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