SI2312BDS-T1-GE3 Prezos (USD) [529776unidades de stock]
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- Número de peza:
- SI2312BDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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SI2312BDS-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SI2312BDS-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
31 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
850mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
750mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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