IPW60R090CFD7XKSA1 Prezos (USD) [11588unidades de stock]
- 1 pcs$3.55645
- Número de peza:
- IPW60R090CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- HIGH POWERNEW.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores: TRIAC ...
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IPW60R090CFD7XKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPW60R090CFD7XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
HIGH POWERNEW
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
25A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 570µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
51nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2103pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO247-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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