SI7900AEDN-T1-GE3 Prezos (USD) [167720unidades de stock]
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- Número de peza:
- SI7900AEDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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SI7900AEDN-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SI7900AEDN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Potencia: máx :
1.5W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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